КАФЕДРА ЭЛЕКТРИФИКАЦИЯ
Овчаров Владимир Викторович, 1956 г. рождения, гражданин Российской Федерации.
Доцент кафедры «Электрификация» ФГБОУ ВО Ярославская ГСХА.
Ученая степень: кандидат физико-математических наук по специальности 01.04.10 – физика полупроводников (2006 г.).
ОБЛАСТЬ НАУЧНЫХ ИНТЕРЕСОВ
Явления тепло- и массопереноса в полупроводниках, нелинейные явления при взаимодействии теплового излучения с полупроводниковыми структурами и металлическими сплавами.
ОБРАЗОВАНИЕ
Московский институт электронной техники (1980), специальность – «Автоматика и электроника», квалификация – инженер-физик.
РАБОТА
Старший научный сотрудник Ярославского филиала Физико-технологического института РАН.
ПРЕПОДАВАЕМЫЕ ДИСЦИПЛИНЫ
Физика
{slided=Достижения}
{slided=Список научных трудов}
1. Maksimov S.K., Ovcharov V.V., Piskunov D.I. Specific features of electron microscopy images of systems of dilatation-type defects. Phys. Stat. Sol. (a), v.104 (1987) P. 507-517.
2. Borgardt N. I., Maksimov S. K., Ovcharov V. V. Defocused electron microscopy images of small defects with black-and-white contrast. Physica Status Solidi Applied Research. V. 113(1). (1989) P. K23-K26.
3. A.V. Vinogradov, O.A. Zharov, V.V. Ovcharov and A.V. Sudarkin. Computer simulation of void parameter reconstruction under the conditions of the two-beam dynamical theory. V. 113(2). (1989) P. K149-K151.
4. Rudakov V.I., Ovcharov V.V. Analitical solution of the diffusion equation for an instantaneous plane source at constant temperature gradient. Int. Comm. Heat and Mass Transfer. Vol. 24(4) (1997) P. 579-585.
5. Rudakov V.I., Ovcharov V.V. Analitical solution of the diffusion equation for an extended source of infinite extent at constant temperature gradient. Int. Journal Heat and Mass Transfer. Vol. 40(9) (1997) P. 2231-2234.
6. Rudakov V.I., Ovcharov V.V. Mathematical description of the diffusion in a temperature field and measuring the heat of transport. Int. Journal Heat and Mass Transfer, ol. V. 45(4) (2002) P. 743-753.
7. В.В.Овчаров, В.И.Рудаков. Влияние температурной зависимости коэффициента диффузии на эволюцию гауссова профиля в температурном поле// Микроэлектроника, 2007, т.36, №2, с.142-149.
8. В.И.Рудаков, В.В.Овчаров, В.П.Пригара. Бистабильность при радиационном теплообмене// Письма в ЖТФ, 2008, Т.34, в.14.
9. В.И. Рудаков, В.В. Овчаров, В.П. Пригара. Влияние шероховатой поверхности кремниевой пластины на ее температуру при нагреве некогерентным излучением//Микроэлектроника, 2010, т. 39, № 1, с. 3 - 13.
10. Влияние оптических свойств КНИ-структуры на температуру пластины при быстром термическом отжиге.Микроэлектроника, том 41, № 1 (2012) с. 20-29.
11. V.I. Rudakov, V.V. Ovcharov, A.L. Kurenya, V.P. Prigara. Bistable behavior of silicon wafer in rapid thermal processing setup. Microelectronic Engineering 93 (2012) p. 67-73.
12. В.И. Рудаков, В.В. Овчаров, В.Ф. Лукичев, Ю.И. Денисенко. Исследование диффузии бора, фосфора и мышьяка в кремнии при отжиге в неизотермическом реакторе. Микроэлектроника, 2014, Т. 43, № 4, С. 289-304.
13. В.В. Овчаров, В.И. Рудаков, В.П. Пригара, А.Л. Куреня. Влияние степени легирования на температурную бистабильность в кремниевой пластине. Журнал технической физики, 2014, Т. 84, Вып. 8, С. 67-76.
14. В.И. Рудаков, В.В. Овчаров, А.Л. Куреня, В.П. Пригара. Нелинейные температурные и оптические явления в кремниевой пластине при ламповом нагреве. Гл. 4 в кн. «Кремниевые наноструктуры. Физика, технология, моделирование»: монография/Под. общ. ред. В.И. Рудакова. - Ярославль, Изд-во «Индиго», 2014. - 573 с.
15. V.P. Prigara,V.V. Ovcharov , V.I. Rudakov. Temperature bistability in a silicon wafer with a doped layer on lamp-based heating //Materials Science in Semiconductor Processing. – 2015. V. P. 312–325.
{slided=Научные достижения студентов}
{/slidesd}